S8201
Транзистор
s8201.jpg
Описание
Transistor, silicon VDMOS FET, 28 V, F= 1000 MHz, Gn= 10 dB, PAE= 45%, OP= 4 W, Pdiss= 20 W, SM pkg SO8
Техническое описание
Страница производителя
|
|
+7 495 020 40 00 / 957 77 45
+7 495 361 09 04 / 020 10 64 sales@radiocomp.ru |
|||||||||||||||||||||||||
Обзорная информация Линейка продукции Информационное письмо Карта сайта: HTML XML
|
S8201
Транзистор
s8201.jpg
Описание
Transistor, silicon VDMOS FET, 28 V, F= 1000 MHz, Gn= 10 dB, PAE= 45%, OP= 4 W, Pdiss= 20 W, SM pkg SO8
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||