MRF559
Транзистор
Описание
Transistor, NPN silicon, F= 870 MHz, Gn= 8 dB, PAE= 50 %, OP1dB> 20 dBm, OP= 0.5 W , Pdiss= 2 W, plastic SM pkg 4L Macro-X
Техническое описание
|
|
+7 495 020 40 00 / 957 77 45
+7 495 361 09 04 / 020 10 64 sales@radiocomp.ru |
|||||||||||||||||||||||||
Обзорная информация Линейка продукции Информационное письмо Карта сайта: HTML XML
|
MRF559
Транзистор
Описание
Transistor, NPN silicon, F= 870 MHz, Gn= 8 dB, PAE= 50 %, OP1dB> 20 dBm, OP= 0.5 W , Pdiss= 2 W, plastic SM pkg 4L Macro-X
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||